关于GaN

半导体发展简史

    1946年2月，世界上第一台通用电子数字计算机“埃尼阿克”（ENIAC）在美国研制成功，半导体器件逐步进入大众视野。从真空电子管到锗点接触型三极管（PNP管）、金属—氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），再到集成电路与半导体器件，“摩尔定律”逐渐成为半导体行业的热门话题，被行业头部玩家奉为神祗，却于本世纪逐渐被“摩尔定律已死”逐渐取代。

    后摩尔时代，以化合物为代表的第二、三代半导体，以及chiplet等技术开始大放异彩，继续扩张着半导体产业的版图。

宽禁带半导体

    宽禁带半导体（WBS)是自第一代元素半导体材料（Si ）和第二代化合物半导体材料( GaAs、GaP、InP等)之后发展起来的第三代半导体材料。这类材料的主要代表是氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）以及金刚石等。

    作为新一代化合物半导体，其在光伏、汽车、数据中心、基站、卫星领域体现出超越硅基器件的优越性。从产业与科技的预期来讲，其优越的功率特性、低损耗，以及高频特性的优势体现得尤为突出。

氮化镓（GaN）优势

    GaN能够把电子性能提升至另一个更高的水平，并使逐渐走向末端的摩尔定律复活。根据APEC会议上的半导体材料对比图（图2）可以清晰看到，GaN材料具有禁带宽度大、热导率高、绝缘破坏电场大、电子饱和速度高以及载流子迁移率高等优势，可以为我们带来更小尺寸、更高效能、更高可靠性的产品应用。